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- 制造厂商：ALD
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-DIP（0.300，7.62mm）
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
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ALD111933PAL 技术参数详情：
- 制造商产品型号：ALD111933PAL
- 制造商：Advanced Linear Devices Inc.（ALD）
- 描述：MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：EPAD?
- 零件状态：有源
- FET类型：2 N 沟道（双）配对
- FET功能：标准
- 漏源电压（Vdss）：10.6V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：-
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：500 欧姆 @ 5.9V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.35V @ 1μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2.5pF @ 5V
- 功率-最大值：500mW
- 工作温度：0°C ~ 70°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：8-DIP（0.300，7.62mm）
- ALD111933PAL优势代理货源，国内领先的ALD芯片采购服务平台。
